高电压无丝焊LED

摘要

本申请公开了一种LED芯片及其制造方法，该LED芯片包括多个子LED，所述子LED互连以使得驱动所述子LED所需的电压取决于所述互连的子LED的数量和所述子LED的结电压。每个所述互连的子LED包括n型半导体层（100）、p型半导体层（102）、以及夹在n型和p型层之间的有源或量子阱区域。单块式LED芯片进一步包括p电极（118）和n电极（116），其具有可从与单块式LED芯片的主发光表面相对的表面上的点接近的引线（104），p电极与p型层电连接，所述n电极具有可从与主发光表面相对的表面上的点接近的引线，n电极与n型层电连接。这些子LED通过至少n型和p型层上的金属化层互连，该金属化层被绝缘以使得其不会使子LED短路。此外，LED芯片能够电耦合以便无丝焊地工作。

主权项

一种单块式LED芯片，包括：多个子LED，所述子LED无丝焊地互连，使得驱动所述子LED所需的电压取决于互连的所述子LED的数量和所述子LED的结电压；以及其中所述单块式LED芯片能够电耦合以便无丝焊地工作。