| 发明名称 | 半导体器件的制造方法和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN103339733A | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
| 申请号 | CN201280006501.X | 申请日期 | 2012.01.23 |
| 申请人 | 国立大学法人东北大学;先进动力设备技术研究协会;东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 寺本章伸;神林宏;上田博一;两角友一朗;原田豪繁;长谷部一秀;大见忠弘 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有构成半导体层的GaN（氮化镓），该半导体器件的制造方法的特征在于：包括栅极绝缘膜形成工序，在具有GaN的氮化物层之上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。 | ||
| 地址 | 日本宫城县 | ||