| 发明名称 | 在玻璃基片上低温沉积InN薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好的InN光电薄膜的在玻璃基片上低温沉积InN薄膜的方法。本发明包括以下步骤：1）将玻璃基片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，玻璃基片加热至20～400℃，再向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（2～4）：（100～200），控制气体总压强为0.8～2.0Pa，电子回旋共振反应30min～3h,得到在玻璃基片的InN光电薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103334088A | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
| 申请号 | CN201310298357.8 | 申请日期 | 2013.07.17 |
| 申请人 | 辽宁太阳能研究应用有限公司 | 发明人 | 郑洪;鞠振河;张东 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人 | 史旭泰 |
| 主权项 | 在玻璃基片上低温沉积InN薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：1）将玻璃基片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR‑PEMOCVD系统，将反应室抽真空，玻璃基片加热至20～400℃，再向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（2～4）：（100～200），控制气体总压强为0.8～2.0Pa，电子回旋共振反应30min～3h, 得到在玻璃基片的InN光电薄膜。 | ||
| 地址 | 110136 辽宁省沈阳市沈北新区蒲城路26号 | ||