| 发明名称 | 制备SOI晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种通过相对低的温度下的和相对较短的持续时间的处理来减少由键合方法在单晶硅层表面和内部引起的缺陷的方法。更具体地，本发明涉及一种制备SOI晶片的方法，所述方法包括以下步骤：通过键合方法在操作基板上形成单晶硅层，以获得键合基板，所述操作基板是从具有800℃以上的耐热温度的材料中选择出的；在所述键合基板的所述单晶硅层上沉积非晶硅；及在800℃以上的温度下加热所述沉积之后的所述键合基板。 | ||
| 申请公布号 | CN103339710A | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
| 申请号 | CN201280006999.X | 申请日期 | 2012.01.24 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 秋山昌次 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 曹正建;陈桂香 |
| 主权项 | 一种制备SOI晶片的方法，其包括以下步骤：通过键合方法在操作基板上形成单晶硅层，以获得键合基板，所述操作基板是从具有800℃以上的耐热温度的材料中选择出的；在所述键合基板的所述单晶硅层上沉积非晶硅；及在800℃以上的温度下加热所述沉积之后的所述键合基板。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||