| 发明名称 | 背照式CMOS影像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法，其中，述背照式CMOS影像传感器包括：晶圆；形成于所述晶圆中的多个光电二极管；形成于所述晶圆中、并将相邻两个光电二极管予以隔离的隔离结构，所述隔离结构的材料为高K介质。通过在每相邻两个光电二极管之间形成材料为高K介质的隔离结构以阻挡电学串扰。由于所述隔离结构的材料为高K介质层，其提高了电子跃迁势垒，从而能够阻挡电学串扰，由此提高了背照式CMOS影像传感器的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN103337508A | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
| 申请号 | CN201310277429.0 | 申请日期 | 2013.07.03 |
| 申请人 | 豪威科技（上海）有限公司 | 发明人 | 费孝爱;邢家明 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种背照式CMOS影像传感器，其特征在于，包括：晶圆；形成于所述晶圆中的多个光电二极管；形成于所述晶圆中、并将相邻两个光电二极管予以隔离的隔离结构，所述隔离结构的材料为高K介质。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园上科路88号 | ||