| 发明名称 | 抗PID效应的太阳能电池片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于光伏太阳能电池的制造技术，涉及一种抗PID效应的太阳能电池片及其制造方法。其电池片包括有晶体硅衬底，以及依次沉积在晶体硅衬底上的SiNx钝化层和SiNx透光层；所述透光层上还沉积有一层SiNx抗PID效应层；通过改变沉积设备中的沉积工艺参数，可以改变各沉积层的折射率和厚度，所述钝化层折射率为2.15－2.25，厚度为10－40nm；透光层折射率为2.0－2.15，厚度为40－70nm；抗PID效应层折射率为2.20－2.45，厚度为5－20nm。本发明抗PID效果好、并能够在传统氮化硅镀膜设备基础上进行生产、设备投入小、生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103337525A | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
| 申请号 | CN201310201143.4 | 申请日期 | 2013.05.27 |
| 申请人 | 镇江大全太阳能有限公司 | 发明人 | 张良;李良;姚剑;高贝贝;余东华;毛海燕 |
| 分类号 | H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I |
| 代理机构 | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人 | 夏哲华 |
| 主权项 | 一种抗PID效应的太阳能电池片，包括有晶体硅衬底，以及依次沉积在晶体硅衬底上的SiNx钝化层和SiNx透光层；其特征是：所述透光层上还沉积有一层SiNx抗PID效应层；所述钝化层折射率为2.15－2.25，厚度为10－40nm；透光层折射率为2.0－2.15，厚度为40－70nm；抗PID效应层折射率为2.20－2.45，厚度为5－20nm。 | ||
| 地址 | 212211 江苏省镇江市扬中市新坝镇新中南路66号 | ||