SRAM失配晶体管检测方法

摘要

一种SRAM存储单元失配晶体管检测方法，包括如下步骤：a)、使能第二字线WLB，禁能第一字线WLA；b)、判断数字信息为0或1，若为0，则选择执行步骤c1)，若为1，则选择执行步骤c2)；c1)、在第一量测端()量测第一N型晶体管(PD1)电压电流曲线，在第二量测端(BLM)量测第二P型晶体管(PU2)电压电流曲线；c2)、在第一量测端()量测第一P型晶体管(PU1)电压电流曲线，在第二量测端(BLM)量测第二N型晶体管(PD2)电压电流曲线；d)、根据步骤c1)或步骤c2)得到的电压电流曲线确定失配晶体管。其可快速、方便地确定SRAM存储单元中引起失配的晶体管。

主权项

1.一种SRAM存储单元失配晶体管检测方法，所述SRAM存储单元包括8个CMOS晶体管，分别为第一、第二P型晶体管(PU1、PU2)、第一、第二N型晶体管(PD1、PD2)，第一、第二传递晶体管(PG1、PG2)以及第一、第二量测晶体管(PM1、PM2)，所述第一、第二P型晶体管(PU1、PU2)、第一、第二N型晶体管(PD1、PD2)构成一双稳态电路用于锁存一位数字信息，其中，所述第一、第二传递晶体管(PG1、PG2)的栅极共同连接第一字线(WLA)，源极分别连接所述双稳态电路的第一、第二输出端，漏极分别连接第一、第二位线(BL、)，用于将所述双稳态电路与外围电路进行连接或断开以供存储或访问所述数字信息；所述第一、第二量测晶体管(PM1、PM2)的栅极共同连接第二字线(WLB)，源极分别连接所述双稳态电路的第一、第二输出端，漏极分别用于提供第一、第二量测端(BLM)，所述检测方法包括如下步骤：a)、使能第二字线WLB，禁能第一字线WLA；b)、判断所述数字信息为0或1，若为0，则选择执行步骤c1)，若为1，则选择执行步骤c2)；c1)、在所述第一量测端()量测所述第一N型晶体管(PD1)电压电流曲线，在所述第二量测端(BLM)量测所述第二P型晶体管(PU2)电压电流曲线，进至步骤d)；c2)、在所述第一量测端()量测第一P型晶体管(PU1)电压电流曲线，在所述第二量测端(BLM)量测第二N型晶体管(PD2)电压电流曲线，进至步骤d)；d)、根据所述步骤c1)或步骤c2)得到的电压电流曲线确定引起失配的晶体管。