| 发明名称 | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及其制备方法，该IGBT包括N型基区、P型基区(28)、背P+阳极区(21)、N+阴极区(26)、栅氧化层(24)、阳极(20)、栅电极(25)和阴极(27)，所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层(29)、N-基区(23)和N+缓冲层(22)组成，所述的N+扩散残留层(29)和N+缓冲层(22)从与N-基区(23)的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。IGBT在N-基区(23)正面设置N+扩散残留层(29)，提高了N型正面的离子掺杂浓度，降低了结型场效应晶体管(JEFT)电阻的影响，从而有效降低IGBT的导通压降，同时对IGBT的正向阻断电压(耐压)的影响降低到最小。 | ||
| 申请公布号 | CN102439725B | 申请公布日期 | 2013.10.02 |
| 申请号 | CN201180002477.8 | 申请日期 | 2011.07.11 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 张斌;韩雁;张世峰;胡佳贤 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
| 主权项 | 一种绝缘栅双极型晶体管，包括N型基区、P型基区、背P+阳极区、N+阴极区、栅氧化层、阳极、栅电极和阴极，其特征在于：所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层、N‑基区和N+缓冲层组成，N+扩散残留层和N+缓冲层分别位于N型单晶硅两侧，P型基区、N＋阴极区、阴极、栅氧化层、栅电极位于N＋扩散残留层上，背P＋阳极区位于N＋缓冲层下方，阳极位于背P＋阳极区下方，所述的N+扩散残留层和N+缓冲层从与N‑基区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。 | ||
| 地址 | 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路388号 | ||