纳米线磁性随机存取存储器

摘要

非易失性磁性随机存储器的集成阵列，每个存储器都具有固定磁化方向的第一磁性层(10)；具有可变磁化方向的自由磁性层(20)；将第一磁性层与自由磁性层相分离的分隔层(30)，以及器件选择开关(40)，所述层和至少一部分开关形成为诸如纳米线之类的柱状结构。优选地，所述开关和柱状纳米线结构整体形成。通过将柱状结构中的开关合并进磁性中，器件可以做的更小以能够实现更大的集成。这可以应用于使用外部场或只使用在柱状结构中产生的场的磁性器件。写入电流可以沿柱状结构正向或反向耦合，以根据电流的方向改变自由磁性层的磁化方向。

主权项

一种磁性器件，包括：形成柱状结构的至少一个纳米管，包括：具有固定磁化方向的第一磁性层（10）；具有可变磁化方向的自由磁性层（20）；以及将第一磁性层与自由磁性层相分离的分隔层（30）；以及用于选择磁性器件的选择装置，至少一部分选择装置是所述柱状结构的一部分。