摘要 |
<p>Es wird eine Halbleitervorrichtung vom Trench-Gate-Typ angegeben, welche einen Durchschlag durch eine Gate-Isolierschicht verhindern kann, der zu einem Ausschaltzeitpunkt durch einen Verschiebungsstrom verursacht wird, der in eine Schutz-Diffusionsschicht in einem Bereich eines unterhalb der Gate-Elektrode liegenden Grabens hineinfließt, wobei die Halbleitervorrichtung gleichzeitig die Stromdichte verbessert, indem der Zellenabstand schmaler gemacht wird. Die Halbleitervorrichtung weist eine Gate-Elektrode (7) auf, die in einen Graben (5) eingebettet ist, der durch einen Basisbereich (3) hindurchgeht. Die Gate-Elektrode (7) ist in der Draufsicht in einer Gitterform angeordnet, und eine Schutz-Diffusionsschicht (13) ist in einer Driftschicht (2a) in einem darunterliegenden Teil angeordnet. Mindestens einer der Blöcke, die durch die Gate-Elektrode (7) abgeteilt werden, ist ein Schutzkontaktbereich (20), auf welchem der Graben (5) in seiner Gesamtheit ausgebildet ist. Ein Schutzkontakt (21) zum Verbinden der Schutz-Diffusionsschicht (13) in einem unteren Bereich des Grabens (5) mit einer Source-Elektrode (9) ist auf dem Schutzkontaktbereich (20) ausgebildet.</p> |
申请人 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION |
发明人 |
WATANABE, HIROSHI;FURUKAWA, AKIHIKO;HINO, SHIRO;KAGAWA, YASUHIRO;IMAIZUMI, MASAYUKI |