金属碳化物膜的蒸气沈积

摘要

本发明提供了形成金属碳化物薄膜的方法。根据优选的实施例，在原子层沈积(ALD)制程中，藉由使反应空间内的基板交替地并顺次地接触金属源化学物质、还原剂以及碳源化学物质的空间和时间上相分离的气相脉冲以形成金属碳化物薄膜。该还原剂优选地从氢的受激态物质和含矽化合物所构成的族群中选出。