发明名称 场发射阴极之制备方法
摘要 本发明关于一种场发射阴极之制备方法,包括以下步骤:(a)粗化金属基材;(b)以表面改质溶液处理该金属基材;以及(c)于该金属基材表面形成奈米碳材薄层。本发明亦关于另一种场发射阴极之制备方法,包括以下步骤:(a)于基材表面形成一多孔性金属层;(b)以含离子型界面活性剂之表面改质溶液处理该基材之该多孔性金属层;以及(c)于该多孔性金属层表面形成奈米碳材薄层。由本发明上述制出的场发射阴极,可改善奈米碳材与基材之间的黏着性,同时增加场发射元件的发射均匀性,进而适用于平面显示器、背光光源、平面光源与其他各类型照明光源。
申请公布号 TWI411006 申请公布日期 2013.10.01
申请号 TW097150886 申请日期 2008.12.26
申请人 国防大学 桃园县八德市兴丰路1000号 发明人 范云智;宋钰;刘益铭;葛明德;周育贤;石政弘
分类号 H01J9/02 主分类号 H01J9/02
代理机构 代理人 吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项
地址 桃园县八德市兴丰路1000号