摘要 |
一种如通式(1)表示之鋶盐。;(1);(R1为可被氟原子或其他杂原子取代之C1~10的伸烷基或C6~10的伸芳基。R2表示甲基、第三丁基、甲氧基、或第三丁氧基,又,表示与彼此不同之苯环之氧原子、亚甲基、碸之键结基或直接链结。m为0~5,n为0~4。);本发明之鋶盐对于浸润式曝光之水溶出性低,可藉由高能量束照射,将化学放大型正型光阻材料中的酸不稳定基有效率地切断,在化学放大型负型光阻材料的情况中,可有效率地进行酸交联反应,也可使挥发物减少。因此,即使在EB、EUV曝光时等的高真空条件下也难以挥发,故污染曝光机台的可能性低。故,在作为化学放大型光阻材料之光酸产生剂方面非常有用。 |