碳化矽单结晶晶圆和其制造方法

摘要

可以使源自晶圆的缺陷被抑制的良质磊晶膜成长的碳化矽单结晶晶圆，系表面变质层的厚度为50nm以下，碳化矽单结晶部分之氧含量在1.0×1017atoms/cm3以下。此碳化矽单结晶晶圆，系由藉由使用氧含量为100ppm以下之原料与氧浓度为100ppm以下之非氧化性氛围之溶液成长法而得到的高纯度碳化矽块状单结晶来制作的。