| 摘要 |
本发明提出了一种在由有源元件区和终止区构成的半导体衬底中制备半导体功率装置的方法。该方法包括：在半导体衬底顶面上的终止区和有源组件区中，生长场氧化层，并形成图案；在远离场氧化层一段缝隙区域的半导体衬底的顶面上，设置一个多晶矽层，并形成图案；通过空白的本体掺杂植入，在半导体衬底中形成本体掺杂区，与缝隙区充分对齐，然后将本体掺杂区扩散到半导体衬底中的本体区；植入包围着本体区的高浓度本体掺杂区，其掺杂浓度比本体区的掺杂浓度还高；以及利用源极掩膜植入源极区，源极区的导电类型与本体区相反，源极区包围在本体区中，并被高浓度的本体掺杂区包围着。 |
