半导体元件之两阶段封胶去除方法及雷射开槽加工装置

摘要

本发明是关于一种半导体元件之两阶段封胶去除方法及雷射开槽加工装置，所述两阶段封胶去除方法是先以雷射加工手段移除半导体元件标定开槽区域的部分封胶材料，以形成一凹槽，续以化学蚀刻手段移除该凹槽底部的封胶材料，以显露出半导体元件被封胶材料包覆的内部构造，藉此缩短封胶去除的作业时间，及避免半导体元件内部构造被损坏；所述雷射开槽加工装置以控制组件结合光学成像组件提供操作者于依据半导体元件封胶体表面形貌标定去除封胶体之区域位置，接续控制雷射发射器自动于半导体元件封胶体所标定的区域位置精准的进行雷射挖洞作业。