发明名称 用于薄膜电容制造之溶凝胶与遮罩图案化,所制造之薄膜电容,及包含该电容的系统
摘要 一种形成薄膜电容的制程,包含:溶凝胶图案化在第一电极上之介电薄膜;剥离移除不要之介电薄膜;及将该介电薄膜配合至第二电极。该薄膜电容沿着为其特征尺寸所界定的线,展现实质均匀之热变介面形态。也揭示一计算系统,其包含该薄膜电容。
申请公布号 TWI411010 申请公布日期 2013.10.01
申请号 TW096110605 申请日期 2007.03.27
申请人 英特尔股份有限公司 美国 发明人 华奇亚特 赛;闵庸基;圣吉斯 巴兰杜斯
分类号 H01L21/02;H01L21/334 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 美国