发明名称 半导体制造装置用氧化防止气体供给器
摘要 【物品用途】;本创作之半导体制造装置用氧化防止气体供给器,系安装于藉由引线连接半导体晶片之电极与基板之电极之半导体制造装置之接合头,用于形成氧化防止气体环境气氛。;【创作特点】;本创作之氧化防止气体供给器,具有往X方向及往Y方向之两组供给流路,该供给流路从前视图之A-A剖面图及俯视图之B-B、C-C剖面图观之,分别为从斜上方往X、Y之各水平方向弯曲并贯通之圆筒形状之孔,在往X方向延伸之氧化防止气体供给流路嵌入在圆筒形成有形交叉之导引叶片之构件;另,在往Y方向延伸之氧化防止气体供给流路嵌入在圆周角270度之圆弧板形成有形交叉之导引叶片之构件。另,往Y方向延伸之圆筒孔之氧化防止气体供给流路之下面,挖有电极用槽。由参考后视图、C-C剖面图观之,电极用槽系从途中形成孔并贯通至背面。在背面,设置有用于安装本物品之两个固定用螺孔和一个定位用孔。各;洞孔如A-A、C-C剖面图所示,系为未贯通之孔。;另由立体图、左侧视图、俯视图、A-A剖面图及D-D剖面图观之,在往X方向延伸之氧化防止气体供给流路之外侧,设置有往斜下方向,即朝毛细管贯通孔之下面之方向之氧化防止气体供给流路。
申请公布号 TWD156237 申请公布日期 2013.10.01
申请号 TW101304850 申请日期 2012.08.20
申请人 新川股份有限公司 日本 发明人 国吉胜俊;木内逸人
分类号 15-99 主分类号 15-99
代理机构 代理人 阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项
地址 日本