记忆体的制造方法

摘要

一种记忆体的制造方法。首先，提供基底，基底包括记忆胞区与周边区，基底上已形成有多个闸极，且闸极的侧壁上具有第一间隙壁。其中，记忆胞区的闸极之间具有多个开口。接着，于记忆胞区的基底上形成第一材料层，第一材料层覆盖记忆胞区的闸极且填满开口。然后，对周边区进行处理步骤。接着，移除部份第一材料层，以于开口中形成第一图案。然后，于基底上形成第二材料层，第二材料层覆盖周边区与记忆胞区，且暴露出第一图案。而后，移除第一图案，以于第二材料层中形成多个接触窗开口。继之，于接触窗开口中形成接触窗插塞。