| 摘要 |
一种原子层沈积装置包含一反应室、一加热器、一氧化剂供应器以及一金属前驱物供应器。该加热器系被建构以加热置于其上之半导体晶圆，该氧化剂供应器系被建构以输送不同浓度之含氧化剂前驱物至该反应室，该金属前驱物供应器系被建构以输送含金属前驱物至该反应室。本案亦揭示一种介电结构之制备方法，包含置放一基板于一反应室中、进行一第一原子层沈积制程以及进行一第二原子层沈积制程。该第一原子层沈积制程包含供给一含氧化剂前驱物(第一浓度)至该反应室，该第二原子层沈积制程包含供给该含氧化剂前驱物(第二浓度)，该第二浓度大于该第一浓度。 |
