发明名称 发光二极体晶片之制造方法
摘要 一种发光二极体晶片之制造方法。此方法包含下列步骤。提供具有相对之第一与第二表面的基板。利用雷射在基板之第一表面中形成数个切割道,其中切割道中包含雷射残余物。清除雷射残余物。形成发光磊晶结构于基板之切割道以外之第一表面上。发光磊晶结构包含第一电性半导体层、发光层与第二电性半导体层。形成透明导电层于第二电性半导体层上。形成第一电极与第二电极分别位于第一与第二电性半导体层上。施加外力于基板之第二表面上,以沿着切割道分割基板,而形成数个发光二极体晶片。
申请公布号 TWI411128 申请公布日期 2013.10.01
申请号 TW098135442 申请日期 2009.10.20
申请人 国立成功大学 台南市东区大学路1号 发明人 苏炎坤;陈冠群
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址 台南市东区大学路1号