发明名称 |
半导体发光结构 |
摘要 |
一种半导体发光结构,包括一基板、一第二型电极层、一反射层、一绝缘层、一第一型电极层、一第一型半导体层、一活化层以及一第二型半导体层。第二型电极层形成于该基板上,且形成一由多数个导电柱以及多数个导电墙交错连接所形成之电流扩散格栅。反射层及绝缘层依序形成于第二型电极层上,且覆盖各个导电柱及各个导电墙。第一型电极层、第一型半导体层及活化层依序形成于绝缘层上。第二型半导体层形成于活化层上,并且覆盖各个导电柱及各个导电墙。 |
申请公布号 |
TWI411136 |
申请公布日期 |
2013.10.01 |
申请号 |
TW100116407 |
申请日期 |
2011.05.10 |
申请人 |
隆达电子股份有限公司 新竹市科学园区工业东三路3号 |
发明人 |
李佳恩;方国龙;叶昭呈 |
分类号 |
H01L33/38;H01L33/14 |
主分类号 |
H01L33/38 |
代理机构 |
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代理人 |
祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;涂绮玲 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2 |
主权项 |
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地址 |
新竹市科学园区工业东三路3号 |