发明名称 包含氧化钽层之方法、结构与装置
摘要 本发明揭示一种包含邻近于氮化铌的氧化钽层之方法、结构与装置。在某些具体实施例中,氮化铌系结晶的并且具有六方最密堆积结构。视需要,该氮化铌可具有包含邻近于其至少一部分的氧化铌之表面。在某些具体实施例中,氧化钽层系结晶学纹理化的并具有六边形结构。
申请公布号 TWI411096 申请公布日期 2013.10.01
申请号 TW097116005 申请日期 2008.04.30
申请人 美光科技公司 美国 发明人 微许瓦那斯 巴特
分类号 H01L27/04;H01L21/314;H01L21/8242 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国