具有低注入二极体的ＭＯＳ元件

摘要

一种形成在半导体基底上的半导体元件。所述元件包括：一汲极；覆盖所述汲极的磊晶层；以及主动区。所述主动区包括：一本体系置于所述磊晶层中，并具有本体顶表面；源极嵌入在所述本体中，并从所述本体顶表面延伸至所述本体中；闸极沟槽延伸至所述磊晶层中；一闸极系置于所述闸极沟槽中；主动区接触沟槽系延伸通过所述源极且延伸至所述本体中；一主动区接触电极系置于所述主动区接触沟槽内；其中本体区的薄层将所述主动区接触电极与所述汲极分开。