半导体晶粒及形成导电元件之方法

摘要

本发明提供一种半导体晶粒，包括一基底；一接合垫，形成于基底上方，接合垫具有一第一宽度；一聚亚醯胺层，形成于基底和接合垫上方，聚亚醯胺层于接合垫上方具有一第一开口，第一开口有一第二宽度；一矽基保护层，位于聚亚醯胺层上，矽基保护层于接合垫上方具有一第二开口，第二开口有一第三宽度，其中第一开口和第二开口形成一具有侧壁之组合开口，暴露部分接合垫；一凸块下金属化层，位于组合开口之侧壁上方，且接触接合垫之暴露部分；及一导电元件，位于凸块下金属化层上。