发明名称 METHOD FOR DETERMINING THE HALL VOLTAGE IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES
摘要 <p>Чрез този метод в полупроводниковите структури от токоизточник се пропуска през токовите контакти определена стойност на захранващия ток и се прилага перпендикулярно на напречното сечение на структурата определена стойност на магнитното поле. Включва се волтметър един път към Холовите (изходните) контакти, втори път между единия от Холовите контакти и средната точка на тример, свързан с токовите контакти, и трети път между другия Холов контакт и средната точка на тримера. Усредняват се аритметично напрежението на Хол, измерено между Холовите контакти, удвоеното напрежение между единия Холов контакт и средната точка на тримера и удвоеното напрежение между другия Холов контакт и средната точка на тримера. Получената средна стойност представлява крайното напрежение на Хол.</p>
申请公布号 BG66360(B1) 申请公布日期 2013.09.30
申请号 BG20090110415 申请日期 2009.06.29
申请人 INSTITOUT PO OUPRAVLENIE I SISTEMNI IZSLEDVANIYA PRI BAN 发明人 ROUMENIN CHAVDAR;LOZANOVA SIYA
分类号 G01R33/07 主分类号 G01R33/07
代理机构 代理人
主权项
地址