| 摘要 |
Многослойная GaAs - эпитаксиальная структура для быстродействующих, высоковольтных, высокотемпературных кристаллов диодов, включающая высоколегированную р-подложку, р-слой, отличающаяся тем, что содержит последовательно высокоомный n-слой, буферный n-слой, высоколегированный n-слой, обеспечивающий омический контакт к катодной области диодной структуры. |
