发明名称 CIRCUIT DE POMPAGE DE CHARGE A TRANSISTORS MUNIS DE PORTES DOUBLES EN PHASE, ET PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT DUDIT CIRCUIT.
摘要 <p>L'invention concerne un circuit de pompage de charge qui comprend : - un noeud d'entrée à qui transmettre une tension à augmenter ; - un noeud de sortie destiné à délivrer une tension augmentée ; - une pluralité d'étages de pompage reliés en série entre le noeud d'entrée et le noeud de sortie, chaque étage de pompage comprenant au moins un transistor de transfert de charge, dans lequel ledit transistor de transfert de charge est un transistor à double grille qui comprend une première grille destinée à activer ou désactiver le transistor selon un premier signal de commande appliqué à la première grille, et une seconde grille destinée à modifier la tension de seuil du transistor selon un second signal de commande appliqué à la seconde grille, caractérisé en ce que le premier et le second signaux de commande de commande possèdent la même phase.</p>
申请公布号 FR2988535(A1) 申请公布日期 2013.09.27
申请号 FR20120052640 申请日期 2012.03.23
申请人 SOITEC 发明人 FERRANT RICHARD
分类号 H02M3/155 主分类号 H02M3/155
代理机构 代理人
主权项
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