| 摘要 |
<p>L'invention a pour objet un r Résonateur HBAR comportant sur un substrat (S , S , S , S ), un transducteur piézoélectrique (T , T , T , T ), ledit transducteur comprenant au moins une couche piézoélectrique, au moins deux séries d'électrodes et présentant des fréquences de résonance Fi correspondant à des longueurs d'onde Ai, caractérisé en ce qu'il comprend une structure d'amplification comportant au moins une cavité résonante (CR , CR , CR , CR ) disposée entre ledit transducteur et ledit substrat, cette structure d'amplification étant apte à résonner mécaniquement à au moins une des fréquences de résonance Fi dudit transducteur correspondant à ladite longueur d'onde lambdai, de façon à amplifier l'amplitude de la résonance électrique générée à ladite fréquence. L'invention a aussi pour objet différents procédé de réalisation dudit résonateur.</p> |
