| 摘要 |
<p>Ein Leistungshalbleitervorrichtungsmoduls beinhaltet: eine Grundplatte (1), ein isolierendes Substrat (2), das auf die Grundplatte montiert ist, und einen Diodenchip (4), der auf das isolierende Substrat montiert ist, wobei das isolierende Substrat eine Deckflächenelektrodenschicht (11) aufweist, die auf einer oberen Hauptoberfläche angeordnet ist, und eine Bodenflächenelektrodenschicht (12), die auf einer unteren Hauptoberfläche angeordnet ist, der Diodenchip auf die Deckflächenelektrodenschicht gefügt ist, die Bodenflächenelektrodenschicht (12) auf die obere Hauptoberfläche der Grundplatte (1) gefügt ist und ein Wärmewiderstandsreduzierungsabschnitt, der den thermischen Widerstand reduziert, in der Bodenflächenelektrodenschicht (12) oder der Grundplatte (1) eines Abschnitts entsprechend einer Stelle unmittelbar unterhalb des Diodenchips (4) vorhanden ist.</p> |
