OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING SUCH AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT

摘要

In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) weist dieses einen Träger (2) auf. Mindestens ein optoelektronischer Halbleiterchip (3) mit einer Strahlungsaustrittsseite (30) ist an einer Trägeroberseite (20) angebracht. Eine Opferschicht (5) befindet sich, in Richtung weg von dem Träger (2), über der Strahlungsaustrittsseite (30). Ein Gehäusekörper (6), der eine Gehäuseoberseite (60) aufweist, ist in lateraler Richtung, parallel zu der Strahlungsaustrittsseite (30), ringsum an den Halbleiterchip (3) und/oder an die Opferschicht (5) angeformt. Eine der Strahlungsaustrittsseite (30) abgewandte Oberseite (50) der Opferschicht (5) ist frei von einem Material des Gehäusekörpers (6).