发明名称 |
HALBLEITERANORDNUNG MIT EINEM LEISTUNGSTRANSISTOR UND EINEM HOCHSPANNUNGSBAUELEMENT, DIE IN EINEM GEMEINSAMEN HALBLEITERKÖRPER INTEGRIERT SIND |
摘要 |
<p>Eine Halbleiteranordnung umfasst einen Halbleiterkörper und einen Leistungstransistor mit einem Sourcegebiet, einem Draingebiet, einem Bodygebiet und einem Driftgebiet, die in dem Halbleiterkörper angeordnet sind, und eine Gateelektrode, die benachbart zu dem Bodygebiet ist und die durch ein Gatedielektrikum dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet isoliert ist. Die Halbleiteranordnung umfasst außerdem ein Hochspannungsbauelement, das innerhalb einer wannenartigen dielektrischen Struktur in dem Halbleiterkörper angeordnet ist und die ein weiteres Driftgebiet aufweist.</p> |
申请公布号 |
DE102013205153(A1) |
申请公布日期 |
2013.09.26 |
申请号 |
DE201310205153 |
申请日期 |
2013.03.22 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG |
发明人 |
MAUDER, ANTON;HIRLER, FRANZ;WEYERS, JOACHIM;WAHL, UWE |
分类号 |
H01L29/68;H01L29/78;H01L29/861 |
主分类号 |
H01L29/68 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|