发明名称 | 氧化物半导体薄膜及一种薄膜晶体管 | ||
摘要 | 氧化物半导体薄膜及一种薄膜晶体管,氧化物半导体薄膜成分为M2xIn2-2xO3-δ,其中M为ⅢB族元素,0.001≤x≤0.3,0≤δ<3。ⅢB族元素为Sc、Y、Ac、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu中的一种或任意两种以上的元素。薄膜的厚度为5nm至200nm;氧化物半导体薄膜的载流子浓度小于5×1019cm-3。该氧化物半导体薄膜用于作为薄膜晶体管的沟道层材料。薄膜晶体管设置有栅极、沟道层、位于栅极和沟道层之间的绝缘层、分别连接在沟道层两端的源极和漏极;其沟道层设置为上述的氧化物半导体薄膜。本发明性能良好、制备工艺简单、适应范围广。 | ||
申请公布号 | CN103325842A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
申请号 | CN201310276865.6 | 申请日期 | 2013.07.04 |
申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 兰林锋;彭俊彪;林振国 |
分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人 | 汤东凤 |
主权项 | 一种氧化物半导体薄膜,其特征在于:成分为M2xIn2‑2xO3‑δ且成分中不包括Zn和Sn,其中M为元素周期表中的ⅢB族元素,0.001≤x≤0.3,0≤δ<3。 | ||
地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 |