半导体元件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种光吸收半导体元件（10）的制造方法，其中半导体基层（100）的至少一个部分区域（240）受到多个具有预设长度的激光脉冲照射，其中通过振幅和/或偏振调制将所述激光脉冲的脉冲波形调整成至少一个所需的预设形状。此外，本发明还涉及一种将将电磁辐射转换成电能的半导体元件（10），其包括具有第一侧面（101）以及相对的第二侧面（102）的晶体半导体基层（100），其中在半导体基层（100）与第一侧面相邻的部分体积（110）中加入掺杂剂，以此在部分体积（110）和半导体基层（100）之间形成第一pn结（21），其中第二侧面（102）的至少一个第一部分区域（240）上设有掺杂剂以及改性表面，从而构成了第二pn结（22）。

主权项

一种光吸收半导体元件（10）的制造方法，包括如下步骤：提供具有第一侧面（101）和第二侧面（102）的基层（100），在半导体基层（100）与第一侧面（101）相邻的至少一个部分体积（110）中加入掺杂剂，如此使得所述部分体积（110）和半导体基层（100）之间形成具有第一带隙能的第一pn结（21），在半导体基层（100）的至少一个部分区域（240）上照射具有可预定义长度的多个激光脉冲（400），其中通过振幅和/或偏振调制将所述激光脉冲（400）的脉冲波形修整成至少一个可预定义的形状，如此使得至少第二侧面（102）的部分区域（240）具有改性表面，并在其中形成具有第二带隙能的第二pn结（22），其中所述第二带隙能低于所述第一带隙能。