| 发明名称 | 发光结构 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种发光结构(7)，其具有：用于注入空穴的p掺杂区域(1)；用于注入电子的n掺杂区域(2)；至少一个第一类的InGaN量子阱(4)和至少一个第二类的InGaN量子阱(5)，它们设置在n掺杂区域(2)和p掺杂区域(1)之间，其中第二类的InGaN量子阱(5)具有比第一类的InGaN量子阱(4)更高的铟含量。 | ||
| 申请公布号 | CN101803045B | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN200880106226.2 | 申请日期 | 2008.08.25 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 阿德里安·斯特凡·阿夫拉梅斯库;汉斯-于尔根·卢高尔;马蒂亚斯·彼得;斯特凡·米勒 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 陈炜;许伟群 |
| 主权项 | 一种发光结构(7)，包含：‑用于注入空穴的p掺杂区域(1)，‑用于注入电子的n掺杂区域(2)，‑有源区，其具有多个第一类的发射UV范围中的光的InGaN量子阱(4)和至少一个第二类的发射蓝‑绿色范围中的光的InGaN量子阱(5)，该有源区设置在n掺杂区域(2)和p掺杂区域(1)之间，其中第二类的InGaN量子阱(5)具有比第一类的InGaN量子阱(4)更高的铟含量，其中第一类的InGaN量子阱(4)通过第一类的(In)GaN阻挡层(3)彼此分离，并且其中在第二类量子阱(5)与边缘的第一类量子阱(4)之间设置有第二类阻挡层(6)，其中第一类阻挡层(3)和第二类阻挡层(6)具有2nm到6nm之间的厚度，其中第一类阻挡层(3)和第二类阻挡层(6)具有不同的厚度，其中第一类阻挡层(3)以在1.0×1017/cm3到2.0×1019/cm3之间的浓度来掺杂硅并且第二类阻挡层(6)以不大于5×1017/cm3的浓度来掺杂硅。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||