多晶硅旋转凝固分离杂质的方法

摘要

本发明属于多晶硅定向凝固技术领域，具体涉及一种多晶硅旋转凝固分离杂质的方法，当硅液定向凝固到75～85%时，按照以下步骤继续进行：（1）调节加热温度至1350～1400℃，并且旋转坩埚，使得熔点低于硅的液态金属杂质在离心力作用下沿着硅晶体的晶界向硅锭边缘聚集；（2）关闭加热器，持续旋转坩埚，直至液态金属杂质在硅锭边缘凝固；（3）最后对硅锭的边缘部分进行切除，从而得到提纯后的多晶硅铸锭。本发明的优点在于：（1）金属杂质在硅锭边缘处聚集，并且很好的抑制了高含量的金属杂质的反扩散；（2）通过该方法获得的多晶硅铸锭纯度将达到99.995%～99.9998%，成品率达到80～95%。

主权项

一种多晶硅旋转凝固分离杂质的方法，在真空环境下将多晶硅原料加热至硅液后，进行定向凝固，其特征在于当硅液定向凝固到75～85%时，按照以下步骤继续进行：（1）调节加热温度至1350～1400℃，并且旋转坩埚，使得熔点低于硅的液态金属杂质在离心力作用下沿着硅晶体的晶界向硅锭边缘聚集；（2）关闭加热器，持续旋转坩埚，直至液态金属杂质在硅锭边缘凝固；（3）最后对硅锭的边缘部分进行切除，从而得到提纯后的多晶硅铸锭。