一种铜互连结构及其制备方法

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种铜互连结构以及制备方法。本发明在原有的铜互连结构为基础，以单层Ru-N结构取代传统的扩散阻挡层/粘附层/籽晶层3层结构。具体制备步骤为：使用原子层淀积方法，先在绝缘介质层上淀积一层Ru薄膜，再进行原位等离子体处理使其转化为Ru-N薄膜，最后直接沉积Cu籽晶层或电镀铜获得铜互连结构。通过调节Ru-N薄膜中的Ru、N比例，可以同时获得较佳的导电特性、Cu扩散阻挡特性和粘附特性。本发明的优点是使用Ru-N可以获得更好的扩散阻挡性能和粘附性能，并且简化了铜互连技术的工艺，从而大大提高了整体集成密度，为22nm及其以下工艺技术节点的铜互连技术提供了一种更为切实可靠的方案。

主权项

一种铜互连结构，其特征在于以现有铜互连结构为基础，采用原子层淀积技术在沟槽或通孔上生长一层Ru，并进行原位氮等离子体处理使其转化为Ru‑N层，作为扩散阻挡层和籽晶层，以取代传统的扩散阻挡层/粘附层/籽晶层3层结构。