半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置。实施方式的半导体装置具有漏极区、源极区、基极区、漂移区、栅极区、栅极绝缘膜、电场缓和部、漏电极和源电极。漏极区具有第一部分和第二部分，该第二部分具有在第一方向上延伸的面。源极区在第二方向上延伸并与漏极层分离设置。基极区设在漏极区与源极区之间。漂移区与源极区相接地设在漏极区与基极区之间。栅电极在第一方向以及第三方向上延伸，在第三方向上贯通基极区。栅极绝缘膜设在源极区、基极区和漂移区这三个区与栅电极之间。电场缓和部设在栅极绝缘膜与漏极区之间。漏电极连接于漏极区。源电极连接于源极区。

主权项

一种半导体装置，具备：第一导电类型的漏极区，具有第一部分和第二部分，所述第二部分具有在与所述第一部分的主面垂直的第一方向上延伸的面；第一导电类型的源极区，在与所述第二部分平行的第二方向上延伸，与所述漏极区分离设置；第二导电类型的基极区，与所述源极区相接地设在所述漏极区与所述源极区之间；第一导电类型的漂移区，设在所述漏极区与所述基极区之间；栅电极，在所述第一方向以及与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸，在所述第三方向上贯通所述基极区；栅极绝缘膜，设在所述源极区、所述基极区和所述漂移区这三个区与所述栅电极之间；第一半导体区，设在所述栅极绝缘膜与所述漏极区之间，杂质浓度比所述漂移区低；漏电极，连接于所述漏极区；以及源电极，连接于所述源极区以及所述基极区。