| 发明名称 | 半导体模块 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体模块，提供一种恢复特性优良并且低损失且低成本的PFC模块。PFC模块具有：二极管桥，由上臂的第一以及第二二极管（D1R）、（D1S）及下臂的第三以及第四二极管（D2R）、（D2S）构成；功率因数改善用的第一以及第二开关元件（SWR）、（SWS）。其中的第一以及第二二极管（D1R）、（D1S）是采用宽带隙半导体形成的肖特基势垒二极管，第三以及第四二极管（D2R）、（D2S）及第一以及第二开关元件（SWR）、（SWS）是采用硅形成的二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN103325759A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201310265179.9 | 申请日期 | 2011.12.30 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 加藤正博;中川信也 |
| 分类号 | H01L23/495(2006.01)I;H02M1/42(2007.01)I | 主分类号 | H01L23/495(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体模块，其特征在于，具有：二极管桥，具有阴极彼此连接的第一以及第二二极管及阳极彼此连接的第三以及第四二极管，所述第一以及第三二极管串联连接，所述第二以及第四二极管串联连接；第一开关元件，与所述第一二极管和第三二极管的连接节点连接；以及第二开关元件，与所述第二二极管和第四二极管的连接节点连接，所述第一以及第二二极管是采用宽带隙半导体形成的肖特基势垒二极管，所述第三以及第四二极管及所述第一以及第二开关元件是采用硅形成的二极管以及开关元件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||