微桥结构红外探测器以及制造方法

摘要

一种微桥结构红外探测器，属于微机电技术领域，包括：硅衬底，作为红外探测器的读出电路；金属反射层，沉积在所述硅衬底之上；介质层，沉积于金属反射层的凹槽内，且该介质层的高度与该金属反射层的高度一致；牺牲层和用于作为释放牺牲层保护的第一释放保护层，沉积在所述介质层和金属反射层上，并光刻刻蚀形成通孔；铜或钨桥墩，沉积在牺牲层的通孔内；金属电极，沉积在铜或钨桥墩及第一释放保护层之上；敏感材料探测层，沉积在金属电极和第一释放保护层上。本发明大马士革工艺制造Cu柱微桥结构，并引入化学机械抛光工艺(CMP)可以制造出平坦化的微桥平面，有利于后续工艺，改善性能。

主权项

一种微桥结构红外探测器，其特征在于包括：硅衬底，作为红外探测器的读出电路；金属反射层，沉积在所述硅衬底之上；铜桥墩，使用大马士革铜互连工艺中标准的铜电镀工艺和化学机械抛光工艺实现，铜桥墩既作为牺牲层释放后微桥的支撑结构，也作为微桥与金属反射层的电连接结构，铜桥墩的高度与释放保护层的高度一致；介质层，沉积于金属反射层的凹槽内，且该介质层的高度与该金属反射层的高度一致；牺牲层和用于作为释放牺牲层保护的第一释放保护层，沉积在所述介质层和金属反射层上，并光刻刻蚀形成通孔；金属电极，沉积在铜桥墩及第一释放保护层之上；敏感材料探测层，沉积在金属电极和第一释放保护层上；该红外探测器还包括：介质绝缘层，沉积于金属电极和敏感材料探测层之上；红外吸收增强层，沉积在介质绝缘层上；第二释放保护层，第二释放保护层包围该敏感材料探测层和该金属电极，用以保护敏感材料探测层和金属电极；牺牲层材料选自与CMOS工艺兼容的非晶硅。