非易失性半导体存储器的UV编程系统和方法

摘要

本发明涉及非易失性半导体存储器的UV编程系统和方法，半导体存储器存储器件包括设置在半导体衬底中的第一掺杂类型的第一和第二掺杂区域。第一类型的第一和第二掺杂区域彼此横向隔开。栅极电介质在第一和第二掺杂区域之间的半导体衬底的上方延伸，并且浮栅设置在栅极电介质上。紫外线(UV)光阻隔材料垂直设置在浮栅之上并具有覆盖浮栅的大小，使得在半导体存储器器件暴露于UV光之后浮栅保持充电。

主权项

一种半导体存储器存储器件，包括：第一掺杂类型的第一掺杂区域，设置在半导体衬底中，用于限定源极；所述第一掺杂类型的第二掺杂区域，设置在所述半导体衬底中，用于限定漏极，所述第二掺杂区域与所述第一掺杂区域横向隔开；栅极电介质，在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间的所述半导体衬底的上方延伸；浮栅，设置在所述栅极电介质上；以及紫外线(UV)光阻隔材料，垂直设置在所述浮栅的上方，所述UV光阻隔材料具有覆盖所述浮栅的大小，使得在所述半导体存储器存储器件暴露于UV光之后所述浮栅保持充电。