| 发明名称 | 成膜方法及溅射装置 | ||
| 摘要 | 本发明可利用溅射法形成不连续被膜。一种在真空槽内使衬底和靶相对，通过溅射法在前述衬底上进行成膜处理的成膜方法，将前述靶的表面温度控制为与常温相比成为规定温度以上，与未使前述靶的表面温度成为规定温度时相比，在前述衬底上形成高电阻的被膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103320754A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201210074252.X | 申请日期 | 2012.03.20 |
| 申请人 | 芝浦机械电子株式会社 | 发明人 | 川又由雄;宇都宫信明;伊藤昭彦 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 周善来;李雪春 |
| 主权项 | 一种成膜方法，是在真空槽内使衬底和靶相对，通过溅射法在前述衬底上成膜的成膜方法，其特征在于，将前述靶的表面温度控制为比常温高的规定温度，与未使前述靶的表面温度成为前述规定温度时相比，在前述衬底上形成高电阻的被膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||