发明名称 |
一种功率半导体芯片及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种功率半导体芯片及其制备方法,该功率半导体芯片是由N个元胞单元并联形成的。其中,至少一个所述元胞单元上包括位于元胞单元外围的金属硅化物层,该金属硅化物层至少位于元胞单元的多晶硅层的外围区域的上方,该金属硅化物层功能上可以作为栅电阻,该栅电阻将芯片元胞单元的结构包围起来,实现了栅电阻的元胞级并联,提高了元胞级的开关控制能力,改善了芯片的均流特性。 |
申请公布号 |
CN103325838A |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201310259232.4 |
申请日期 |
2013.06.26 |
申请人 |
株洲南车时代电气股份有限公司 |
发明人 |
刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
王宝筠 |
主权项 |
一种功率半导体芯片,包括N个并联的元胞单元,其特征在于,至少一个所述元胞单元包括,设置有半导体结构的衬底,所述衬底表面包括第一子表面、第二子表面和第三子表面,所述第三子表面为所述衬底表面中心所在的区域,第二子表面包围所述第三子表面,第一子表面包围所述衬底表面第二子表面;依次形成于所述第一子表面之上的栅氧化层、多晶硅层,所述多晶硅层由第一区域和第二区域组成,所述第一区域至少包括第一子区域,所述第一子区域为位于所述多晶硅层靠近边缘的外围闭合区域;所述元胞单元还包括形成于所述第一区域之上的金属硅化物层、覆盖所述第二区域和所述衬底第二子表面之上的绝缘层、覆盖所述绝缘层和所述金属硅化物层的钝化层、以及覆盖所述钝化层和所述衬底第三子表面的金属化层。 |
地址 |
412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号 |