发明名称 | 一种全数字3D集成电路硅通孔缺陷自动检测方法 | ||
摘要 | 本发明公开的一种全数字3D集成电路硅通孔缺陷自动检测方法,采用全数字电路的方式对TSV缺陷进行检测,利用数字电路中的反相器的逻辑阈值进行电平检测,不用外接参考电压,与数字电路兼容性强。电路结构简单,用同一套测试电路,通过改变TSV的B端子的电位,就可以检测不同缺陷,可以支持键合前及键合后检测。 | ||
申请公布号 | CN103323731A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
申请号 | CN201310244757.0 | 申请日期 | 2013.06.19 |
申请人 | 西安理工大学 | 发明人 | 余宁梅;胡梦南;王姣 |
分类号 | G01R31/02(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/02(2006.01)I |
代理机构 | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人 | 李娜 |
主权项 | 一种全数字3D集成电路硅通孔缺陷自动检测方法,其特征在于,采用如下电路对硅通孔缺陷进行短路检测或者断路检测:包括测试电路(1)及待测试TSV(2),所述的测试电路(1)包括lacth1锁存器和lacth2锁存器,每个锁存器有两个输入端口、一个输出端口,输入端口分别为时钟端口和数据端口,Lacth1的时钟端口与lacth2的时钟端口接频率相同、相位相反的时钟信号或者接频率相同的不交叠时钟的时钟信号,测试向量通过Lacth1的输入端口输入,lacth1输出同时连接到待测试TSV(2)的A端和lacth2的数据端口,Lacth2的输出端即为检测电路的输出,待测试TSV(2)的B端口为模式设置端口,通过对B端口的电位进行接地或开路的设置,完成检测模式设置。 | ||
地址 | 710048 陕西省西安市金花南路5号 |