发明名称 | 电磁铁双向驱动电路 | ||
摘要 | 本发明公开了一种电磁铁双向驱动电路。包括主电路和控制电路,其中:主电路中的48V直流电压依次与滤波电路、H桥工作电路、保护和限流电路连接,最后连接电磁铁;控制电路中单片机系统发出两路PWM信号和一路方向信号,通过逻辑电路变换和隔离电路的反向隔离放大,转换成四路控制信号,其中两路控制一个MOSFET驱动电路,另两路控制另一个相同的MOSFET驱动电路,MOSFET驱动电路与H桥工作电路相连,参数调节电路与单片机系统相连。本发明实现用PWM驱动H桥从而控制电磁铁正反运动,且正反运动的各种参数可以分开独立调节,设有保护电路防止电磁铁反向时的产生的瞬时感应电流损坏电路。 | ||
申请公布号 | CN103325522A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
申请号 | CN201310243372.2 | 申请日期 | 2013.06.19 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 王剑平;王海军;盖玲;江婷婷;张剑一 |
分类号 | H01F7/18(2006.01)I | 主分类号 | H01F7/18(2006.01)I |
代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 林怀禹 |
主权项 | 一种电磁铁双向驱动电路,其特征在于,包括主电路和控制电路;其中:1)主电路:包括滤波电路,H桥工作电路,保护和限流电路;48V直流电压依次与滤波电路,H桥工作电路,保护和限流电路连接,最后连接电磁铁;2)控制电路:包括单片机系统,参数调节电路,逻辑电路,隔离电路,MOSFET驱动电路;单片机系统发出两路PWM信号和一路方向信号Dir,通过逻辑电路变换和隔离电路的反向隔离放大,转换成四路控制信号,其中两路控制一个MOSFET驱动电路,另两路控制另一个MOSFET驱动电路,两路MOSFET驱动电路分别与H桥工作电路相连,参数调节电路与单片机系统相连。 | ||
地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |