发明名称 检查填充工艺中空隙的方法
摘要 本发明提出一种检查填充工艺中空隙的方法,对待测晶圆进行多次酸槽清洗处理,并在酸槽清洗后分别目检,检查所述待测晶圆表面是否存在空洞;若存在空洞,则对空洞进行分析,从而优化填充工艺,若多次目检之后均不存在空洞则无需对填充工艺进行优化;目检能够检查待测晶圆整个表面,且其成本低,耗时短,从而能够快速而又准确的检查出浅沟槽隔离氧化硅是否存在空洞。
申请公布号 CN103325711A 申请公布日期 2013.09.25
申请号 CN201310264733.1 申请日期 2013.06.27
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 徐灵芝;张文广;郑春生;陈玉文
分类号 H01L21/66(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 陆花
主权项 一种检查填充工艺中空隙的方法,包括步骤:第一步,提供待测晶圆,使用填充工艺在所述待测晶圆上形成浅沟槽隔离氧化硅;第二步,对待测晶圆的表面进行目检;第三步,判断是否存在空洞;第四步,若所述待测晶圆表面存在空洞,则分析空洞形态,对填充工艺进行优化;第五步,若所述待测晶圆表面不存在空洞,则对浅沟槽隔离氧化硅进行多次酸槽清洗,每次酸槽清洗之后均跳回第二步进行循环;第六步,若多次酸槽清洗之后目检所述待测晶圆表面不存在空洞,则无需对工艺进行优化。
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