发明名称 |
检查填充工艺中空隙的方法 |
摘要 |
本发明提出一种检查填充工艺中空隙的方法,对待测晶圆进行多次酸槽清洗处理,并在酸槽清洗后分别目检,检查所述待测晶圆表面是否存在空洞;若存在空洞,则对空洞进行分析,从而优化填充工艺,若多次目检之后均不存在空洞则无需对填充工艺进行优化;目检能够检查待测晶圆整个表面,且其成本低,耗时短,从而能够快速而又准确的检查出浅沟槽隔离氧化硅是否存在空洞。 |
申请公布号 |
CN103325711A |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201310264733.1 |
申请日期 |
2013.06.27 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
徐灵芝;张文广;郑春生;陈玉文 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种检查填充工艺中空隙的方法,包括步骤:第一步,提供待测晶圆,使用填充工艺在所述待测晶圆上形成浅沟槽隔离氧化硅;第二步,对待测晶圆的表面进行目检;第三步,判断是否存在空洞;第四步,若所述待测晶圆表面存在空洞,则分析空洞形态,对填充工艺进行优化;第五步,若所述待测晶圆表面不存在空洞,则对浅沟槽隔离氧化硅进行多次酸槽清洗,每次酸槽清洗之后均跳回第二步进行循环;第六步,若多次酸槽清洗之后目检所述待测晶圆表面不存在空洞,则无需对工艺进行优化。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 |