发明名称 | 一种判别多晶硅薄膜无序度的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及多晶硅薄膜,特指一种判别多晶硅薄膜无序度的方法,用激光拉曼普仪测试多晶硅薄膜的拉曼光谱,获得多晶硅薄膜拉曼散射峰的频移值和半高宽,计算多晶硅薄膜的无序度。本发明对薄膜没有任何损坏,属于半导体薄膜材料领域。 | ||
申请公布号 | CN103323444A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
申请号 | CN201310205292.8 | 申请日期 | 2013.05.27 |
申请人 | 江苏大学 | 发明人 | 王权;邵盈;张艳敏;毛伟;胡然;刘小颖;闫超 |
分类号 | G01N21/65(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/65(2006.01)I |
代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 楼高潮 |
主权项 | 1.一种判别多晶硅薄膜无序度的方法,其特征是:利用拉曼光谱对多晶硅薄膜进行表征,获得多晶硅薄膜拉曼散射峰的频移值和半高宽,计算出多晶硅薄膜的无序度,即<img file="9106DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="132" he="42" />式中<i>C</i>即为无序度,<img file="2013102052928100001DEST_PATH_IMAGE004.GIF" wi="21" he="25" />=520 cm-1为理想多晶硅薄膜拉曼散射峰的峰位,<img file="2013102052928100001DEST_PATH_IMAGE006.GIF" wi="29" he="25" />为实验获得的多晶硅薄膜拉曼散射峰的峰位,<img file="2013102052928100001DEST_PATH_IMAGE008.GIF" wi="18" he="18" />为拉曼散射峰的半高宽,利用上述公式,能够计算出所制备多晶硅薄膜的无序度。 | ||
地址 | 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号 |