发明名称 |
非易失性存储器件、非易失性存储系统、及其编程方法 |
摘要 |
公开一种用于编程包括沿多个行布置的存储单元的非易失性存储器件的方法。该编程方法包括交替地选择字线以在与所述存储单元相关联的第一页部分和第二页部分处编程数据。在编程第一页部分和第二页部分之后,该方法包括根据布置字线的次序在与所述存储单元相关联的第三页部分处编程数据。可以从邻近于地选择线的字线开始逐一顺序地选择字线。 |
申请公布号 |
CN103325417A |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201310044113.7 |
申请日期 |
2013.02.04 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
南尚完;朴晸埙 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I;G11C16/24(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
侯广 |
主权项 |
一种用于编程非易失性存储器单元的方法,该非易失性存储器单元包括与多条字线相关联的多电平存储单元,该方法包括:以交替的次序选择所述字线用于在与所选择的字线相关联的第一页部分和第二页部分处编程第一数据;根据所述交替的次序在与所选择的字线相关联的第一页部分和第二页部分处编程第一数据;以顺序的次序选择所述字线用于在与所选择的字线相关联的第三页部分处编程第二数据;以及根据所述顺序的次序在与所选择的字线相关联的第三页部分处编程第二数据。 |
地址 |
韩国京畿道 |