发明名称 带有复数个具有分段式贯通硅通路的堆叠有源芯片的微电子组件
摘要 提供了微电子组件(100),其中分别在第一微电子元件(110)和第二微电子元件(102)的正面暴露的第一导电垫(108)与第二导电垫(106)并置,每个微电子元件都包含有源半导体器件。导电元件(114)可在第一开口(111)、第二开口(113)和第三开口(180)内延伸,第一开口(111)从第一微电子元件(110)的背面(118)朝着其正面(103)延伸,第二开口(113)从第一开口(111)朝着第一微电子元件(110)的正面(103)延伸,第三开口(180)穿过第一垫(108)和第二垫(106)中至少一个而延伸,以与第一垫及第二垫接触。第一开口(111)和第二开口(113)的内表面(121、123)可相对于第一微电子元件(110)的正面(103)分别沿第一方向和第二方向延伸,以限定明显的角度。
申请公布号 CN103329264A 申请公布日期 2013.09.25
申请号 CN201180066155.X 申请日期 2011.03.23
申请人 德塞拉股份有限公司 发明人 瓦格.奥甘赛安;贝勒卡西姆.哈巴;伊利亚斯.默罕默德;克雷格.米切尔;皮尤什.萨瓦利亚
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 代理人 段淑华;刘曾剑
主权项 微电子组件,包括:第一微电子元件,具有正面和在所述正面暴露的第一导电垫;第二微电子元件,具有正面和在该正面上暴露的第二导电垫,所述第一微电子元件的正面与所述第二微电子元件的正面相互面对,且所述第一垫与所述第二垫并置,每个微电子元件都包含有源半导体器件;及导电元件,在第一开口、第二开口及第三开口内延伸,所述第一开口从所述第一微电子元件的背面朝其正面延伸,所述第二开口从所述第一开口朝所述第一微电子元件的正面延伸,所述第三开口穿过所述第一垫和所述第二垫中至少一个而延伸,其中所述第一开口的内表面和所述第二开口的内表面相对于所述第一微电子元件的正面分别沿第一方向和第二方向延伸,以限定明显的角度,所述导电元件与所述第一垫及所述第二垫接触。
地址 美国加利福尼亚州圣荷西市奥卓公园路3025号