发明名称 |
屏蔽性盖加热器组件 |
摘要 |
本发明提供了一种适于与等离子体处理室一同使用的屏蔽性盖加热器、具有屏蔽性盖加热器的等离子体处理室以及等离子体处理的方法。本发明的方法及设备增强了等离子体处理室中的等离子体位置的位置控制,且可用于蚀刻、沉积、注入及热处理系统,以及其它期望控制等离子体位置的应用。在一个实施例中,提供了一种屏蔽性盖加热器,其包含将加热器元件夹置于其间的铝底座及RF屏蔽件。 |
申请公布号 |
CN101978475B |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN200980110363.8 |
申请日期 |
2009.03.19 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
迈克尔·D·威尔沃斯;大卫·帕拉加斯维勒;瓦伦顿·N·图杜罗;斯蒂芬·源 |
分类号 |
H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;无 |
主权项 |
一种屏蔽性盖加热器,包含:环状热传导底座,其具有多个向内延伸的指,所述多个指形成类似轮辐的图案,所述指的远端不连接;加热器元件,其设置于所述热传导底座上;以及RF屏蔽件,其将所述加热器元件夹置在所述RF屏蔽件与所述热传导底座之间。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |